Disco Solido Ssd 512 Gb Nvme HikSemi PCI3

Las imágenes y especificaciones son ilustrativas, no contractuales, pueden contener errores involuntarios y sufrir modificaciones sin previo aviso. Ante la duda corroborar siempre en la web del fabricante.

SKU: PT_21339
Descripción

El HIKSEMI WAVE(P) de 512 GB es una unidad de estado sólido NVMe de alto rendimiento diseñada para cerrar la brecha entre el almacenamiento convencional y las necesidades de cómputo moderno. Al utilizar la interfaz PCIe Gen 3.0 x4, ofrece una velocidad de lectura significativamente superior a los modelos de menor capacidad de la misma línea, optimizando la carga de texturas en videojuegos y reduciendo los tiempos de renderizado en aplicaciones creativas. Es una opción robusta para usuarios que buscan un equilibrio entre una gran capacidad de respuesta y un costo competitivo.

ESPECIFICACIONES TÉCNICAS

Capacidad: 512 GB.

Formato: M.2 2280.

Interfaz: PCIe Gen 3.0 x4 / NVMe.

Velocidad de Lectura Secuencial: Hasta 2230 MB/s.

Velocidad de Escritura Secuencial: Hasta 20000 MB/s

CONECTIVIDAD Y DURABILIDAD

Tecnología de Celdas: 3D NAND.

Resistencia (TBW): 120 TB.

MTBF (Tiempo medio entre fallos): 1,500,000 horas.

IOPS Lectura 4K: 55,000.

IOPS Escritura 4K: 225,000.

Consumo Energético: 2.2W (Máximo).

Serie: WAVE(P) Consumer.

GARANTIA: 36 MESES

Retira YA

PRECIO EFECTIVO O TRANSFERENCIA BANCARIA 
$165.000,00
Precio de lista $178.200,00
Mercado PagoFinanciación con Mercado Pago
CuotasMonto por cuota
1 cuotas$178.200,00
3 cuotas$64.152,00
6 cuotas$35.640,00
12 cuotas$21.012,75

3 disponibles

Código postal

Pago con tarjetas o transferencia

          

MAX Atención Online:
 Lunes a viernes de 10 a 18hs.

Especificaciones

El HIKSEMI WAVE(P) de 512 GB es una unidad de estado sólido NVMe de alto rendimiento diseñada para cerrar la brecha entre el almacenamiento convencional y las necesidades de cómputo moderno. Al utilizar la interfaz PCIe Gen 3.0 x4, ofrece una velocidad de lectura significativamente superior a los modelos de menor capacidad de la misma línea, optimizando la carga de texturas en videojuegos y reduciendo los tiempos de renderizado en aplicaciones creativas. Es una opción robusta para usuarios que buscan un equilibrio entre una gran capacidad de respuesta y un costo competitivo.

ESPECIFICACIONES TÉCNICAS

Capacidad: 512 GB.

Formato: M.2 2280.

Interfaz: PCIe Gen 3.0 x4 / NVMe.

Velocidad de Lectura Secuencial: Hasta 2230 MB/s.

Velocidad de Escritura Secuencial: Hasta 20000 MB/s

CONECTIVIDAD Y DURABILIDAD

Tecnología de Celdas: 3D NAND.

Resistencia (TBW): 120 TB.

MTBF (Tiempo medio entre fallos): 1,500,000 horas.

IOPS Lectura 4K: 55,000.

IOPS Escritura 4K: 225,000.

Consumo Energético: 2.2W (Máximo).

Serie: WAVE(P) Consumer.

GARANTIA: 36 MESES

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