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Disco Solido Ssd 512 Gb Nvme HikSemi PCI3

SKU: PT_21339 · Disponible
Especificaciones

El HIKSEMI WAVE(P) de 512 GB es una unidad de estado sólido NVMe de alto rendimiento diseñada para cerrar la brecha entre el almacenamiento convencional y las necesidades de cómputo moderno. Al utilizar la interfaz PCIe Gen 3.0 x4, ofrece una velocidad de lectura significativamente superior a los modelos de menor capacidad de la misma línea, optimizando la carga de texturas en videojuegos y reduciendo los tiempos de renderizado en aplicaciones creativas. Es una opción robusta para usuarios que buscan un equilibrio entre una gran capacidad de respuesta y un costo competitivo.

ESPECIFICACIONES TÉCNICAS

Capacidad: 512 GB.

Formato: M.2 2280.

Interfaz: PCIe Gen 3.0 x4 / NVMe.

Velocidad de Lectura Secuencial: Hasta 2230 MB/s.

Velocidad de Escritura Secuencial: Hasta 20000 MB/s

CONECTIVIDAD Y DURABILIDAD

Tecnología de Celdas: 3D NAND.

Resistencia (TBW): 120 TB.

MTBF (Tiempo medio entre fallos): 1,500,000 horas.

IOPS Lectura 4K: 55,000.

IOPS Escritura 4K: 225,000.

Consumo Energético: 2.2W (Máximo).

Serie: WAVE(P) Consumer.

GARANTIA: 36 MESES

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Disco Solido Ssd 512 Gb Nvme HikSemi PCI3

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Medios de pago
Precio especial pagando en efectivo o transferencia bancaria con un 18% de descuento sobre el precio de lista. También podés financiar con tarjeta en cuotas.
Garantía y devoluciones
Garantía oficial de 12 meses. Cambios/devoluciones según condiciones comerciales vigentes.

Preguntas frecuentes

¿Cuántas cuotas tengo disponibles?
Podés abonar en cuotas con tarjeta de crédito según las opciones mostradas en el producto, o disfrutar de opciones sin interés tomando como referencia el precio de lista.
¿Cómo retiro en el local?
Al finalizar el pedido seleccioná retiro en sucursal. Te avisamos cuando esté listo para retirar.
¿Tiene garantía?
Sí, cuenta con 12 meses de garantía oficial con el fabricante / distribuidor según el producto.

Descripción completa

El HIKSEMI WAVE(P) de 512 GB es una unidad de estado sólido NVMe de alto rendimiento diseñada para cerrar la brecha entre el almacenamiento convencional y las necesidades de cómputo moderno. Al utilizar la interfaz PCIe Gen 3.0 x4, ofrece una velocidad de lectura significativamente superior a los modelos de menor capacidad de la misma línea, optimizando la carga de texturas en videojuegos y reduciendo los tiempos de renderizado en aplicaciones creativas. Es una opción robusta para usuarios que buscan un equilibrio entre una gran capacidad de respuesta y un costo competitivo.

ESPECIFICACIONES TÉCNICAS

Capacidad: 512 GB.

Formato: M.2 2280.

Interfaz: PCIe Gen 3.0 x4 / NVMe.

Velocidad de Lectura Secuencial: Hasta 2230 MB/s.

Velocidad de Escritura Secuencial: Hasta 20000 MB/s

CONECTIVIDAD Y DURABILIDAD

Tecnología de Celdas: 3D NAND.

Resistencia (TBW): 120 TB.

MTBF (Tiempo medio entre fallos): 1,500,000 horas.

IOPS Lectura 4K: 55,000.

IOPS Escritura 4K: 225,000.

Consumo Energético: 2.2W (Máximo).

Serie: WAVE(P) Consumer.

GARANTIA: 36 MESES

Las imágenes y especificaciones son ilustrativas, no contractuales, pueden contener errores involuntarios y sufrir modificaciones sin previo aviso. Ante la duda corroborar siempre en la web del fabricante.

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